삼성전자는 세계 최초로 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 출하했다고 29일 밝혔다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 높인 고성능 메모리다. AI 가속기와 그래픽처리장치(GPU)에 주로 쓰인다. 생성형 AI와 대규모언어모델(LLM) 사용이 늘면서 HBM 수요도 빠르게 커지고 있다.
용량은 48GB다. 삼성전자는 향후 고객 수요에 맞춰 32GB 8단 제품과 64GB 16단 제품까지 제품군을 확대할 계획이다.
이번 제품에는 1c D램과 4나노 로직 다이가 적용됐다. 1c D램은 10나노급 6세대 D램을 뜻한다. 로직 다이는 HBM과 AI 가속기 사이에서 데이터 입출력을 제어하는 핵심 부품이다. 삼성전자는 메모리와 파운드리 역량을 함께 활용해 공정 안정성과 양산성을 확보했다고 설명했다.
성능뿐 아니라 전력 효율과 발열 특성도 개선했다. 삼성전자에 따르면 HBM4E는 전작 HBM4 대비 에너지 효율이 16% 향상됐다. 열 저항 특성도 14% 이상 개선됐다. 고성능 AI 서버는 많은 전력을 쓰고 열이 많이 발생하는 만큼, 전력 효율과 발열 관리는 차세대 HBM의 핵심 경쟁력으로 꼽힌다.
삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 HBM4E 양산 공급에 나설 예정이다. 회사는 메모리, 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징을 함께 보유한 ‘원스톱 턴키 솔루션’을 앞세워 고객 수요에 대응한다는 방침이다.
삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM4 양산 출하에 성공한 데 이어 현재 공급을 확대하고 있다. 지난해 12월에는 HBM4가 최종 인증 단계인 시스템인패키지(SiP) 테스트에서 11.7Gbps 속도를 입증하며 최고 등급 평가를 받았다고 설명했다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며 ”앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 말했다.
이혜민 기자 hyem@kukinews.com
